🧪 kosha2013_091_092
📄 이 사건의 질병 레코드
⚗️ 유해물질 측정 2건
| 측정시기 | 물질 | 농도 | 단위 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|---|
| 불명 |
헵탄
→ n-헵탄 · CAS 142-82-5
|
227 | ppm | 헵탄 (227 ppm, 노출기준 400 ppm)의 노출수준은 높았을 것으로 추정하나 이들 물질과 유방암의 발생 관계는 확립되어 있지 않다. |
| 불명 |
1,1-디클로로-1-플루오로에탄
→ 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 · CAS 1717-00-6
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210 | ppm | 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 (210 ppm, 노출기준 500 ppm)의 노출수준은 높았을 것으로 추정하나 이들 물질과 유방암의 발생 관계는 확립되어 있지 않다. |
📅 노출기간 1건
| 시작시기 | 종료시기 | 총기간 | 빈도 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|---|
| 47세 | — | 1년 5개월 | — | 47세에 □사업장에 생산직 직원으로 입사하여, 1년 5개월간을 근무하고 퇴사하였다. |
🏭 작업환경 6건
| 공정 | 환기설비 | 환기 불량한 공간 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|
| 생산직 직원 | — | — | 47세에 □사업장에 생산직 직원으로 입사하여, 1년 5개월간을 근무하고 퇴사하였다. |
| 리볼링 공정 | — | — | 리볼링 공정이란 대형반도체 공장에서 공급받은 불량 IC칩에서 under-fill 및 잔납을 제거하고 새로운 솔더볼을 장착하는 공정이며 |
| 스태킹 공정 | — | — | 스태킹 공정이란 IC칩 2개를 납도금(솔더 링)으로 붙여서 메모리 용량을 증가시키는 공정이다 |
| 리볼링 공정의 세척작업 | — | — | 리볼링 공정의 세척작업은 인쇄회로기판 모듈을 트레이에 담아 세척기에 45-60분간 투입하고 플럭스를 제거하여 자연건조시키는 공정 |
| 리볼링 공정의 드레싱 작업 | — | — | 리볼링 공정의 드레싱 작업은 인 쇄회로기판 위의 볼패드에 묻어있는 솔더볼 찌꺼기를 플럭스를 발라서 제거하는 공정이다. |
| 스태킹공정의 세척작업 | — | — | 스태킹공정의 세척작업은 IC칩의 플럭스 등 잔류물을 손세척으로 애벌세척한 후 세 척기에 넣어서 자동세척하고 자연건조 시키는 과정이다. |
🦺 보호구 0건
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