🧪 kosha2016_009_010
📄 이 사건의 질병 레코드
유해물질 노출 기록 2건
| 측정시기 | 물질 | 농도 | 단위 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|---|
| 불명 |
전리방사선
→ 전리방사선 · IARC Group 1
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0 - 1.39 | mSv | 전리방사선은 낮은 수준(매년 0 - 1.39 mSv, 10년간 총 4.87 mSv·years)으로 노출되었을 것으로 추정되며 |
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수치·판단의 출처:
수치 추정값 · 누적노출량
1인 검토 완료 · 2차 검토 대기 · lwt
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| 불명 |
전리방사선
→ 전리방사선 · IARC Group 1
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4.87 | mSv·year | 전리방사선은 낮은 수준(매년 0 - 1.39 mSv, 10년간 총 4.87 mSv·years)으로 노출되었을 것으로 추정되며 |
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수치·판단의 출처:
수치 추정값 · 누적노출량
1인 검토 완료 · 2차 검토 대기 · lwt
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근거 유형은 해당 수치·판단이 원문에서 생성된 방식을 구분한 것입니다. 분류 이유·물리량 등은 각 항목에서 확인할 수 있습니다. 검토 상태는 별도로 표시합니다. AI 분류는 예비 결과이며, 1인 검토는 최종 확정 전 단계입니다.
📅 노출기간 3건
| 시작시기 | 종료시기 | 총기간 | 빈도 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|---|
| 1995년 12월 | 1997년(추정, 2년 후) | 2년 | — | 1995년 12월 □사업장에 장비엔지니어로 입사하여 2년 동안 반도체 가공클린룸(Fabrication, FAB) 4라인 및 5라인의 이온주입(Ion implant, IMP)공정에서 근무했다. |
| 1998년 | 2005년 | 8년 | — | 8년(1998-2005)동안 FAB8라인에서 근무했는데 처음 2년간 IMP공정, 1년간 평탄화(CMP)공정 그리고 나머지 5년간 화학기상증착(CVD)공정에서 근무하였다. |
| 1995년 12월 | 2005년 | 4년 동안 IMP공정, 이후 1년 CMP공정, 5년 CVD공정 | — | 근로자는 1995. 12월 □사업장에 장비엔지니어로 입사하여 4년 동안 반도체 가공이온주입(Ion implant, IMP)공정근무 이후 1년간 평탄화(CMP)공정, 5년간 화학기상증착(CVD)공정에서 근무하였다. |
🏭 작업환경 3건
| 공정 | 환기설비 | 환기 불량한 공간 | 원문 인용 |
|---|---|---|---|
| 이온주입(Ion implant, IMP)공정 | — | 개방 | 2년 동안 반도체 가공클린룸(Fabrication, FAB) 4라인 및 5라인의 이온주입(Ion implant, IMP)공정에서 근무했다. |
| 평탄화(Chemical and mechanical polishing, CMP)공정 | — | — | 1년간 평탄화(Chemical and mechanical polishing, CMP)공정 그리고 나머지 5년간 화학기상증착(Chemical vaporized deposition, CVD)공정에서 근무하였다. |
| 화학기상증착(Chemical vaporized deposition, CVD)공정 | — | — | 나머지 5년간 화학기상증착(Chemical vaporized deposition, CVD)공정에서 근무하였다. |
🦺 보호구 0건
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