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🧪 kosha2017_048_049

epiedit 검토 완료 최종데이터 (읽기 전용) · 측정정보 최종수정 2026-07-11 (bjw)

📄 이 사건의 질병 레코드

뇌의 악성 신생물 / 전자 부품 및 제품 제조 기계 조작원 / IDS 1490

⚗️ 유해물질 측정 3건

측정시기 물질 농도 단위 원문 인용
불명 벤젠
→ 벤젠 · CAS 71-43-2 · IARC 1
0.0002~0.0016 ppm
부산물로 벤젠 발생 가능성이 있어 평가한 결과, 최고농도수준은 0.0002~0.0016ppm으로 노출기준(0.5ppm)에 비해 매우 낮았고
불명 벤젠
→ 벤젠 · CAS 71-43-2 · IARC 1
0.0001 ppm
기하평균 농도범위는 0.0001ppm으로 이는 외기에서 측정한 농도수준 범위였다.
2008~2013년 의료용 방사선
→ 전리방사선 · IARC Group 1
33.3~57.5 mSv
2008년부터 2013년까지 근로자가 건강검진을 통해 33.3~57.5 mSv의 의료용 방사선에 노출되었으나

📅 노출기간 1건

시작시기 종료시기 총기간 빈도 원문 인용
1999년 8월 2일 2015년 4월 (사망) 약 15년 8개월
근로자는 1999년 8월 입사하여 약 15년 8개월간 근무하는 동안 습식식각 공정 담당, 공장 기획업무 및 주재원, LCD PC 기술팀 스텝 업무 등을 하였다.

🏭 작업환경 4건

공정 환기설비 환기 불량한 공간 원문 인용
LCD 습식식각(wet etch), 증착(deposition) 공정 생산라인 구축 및 양산업무
1999년 8월 2일 □사업장에 입사하여 LCD 습식식각(wet etch), 증착(deposition) 공정 생산라인 구축 및 양산업무를 수행하다가
TFT공정 초기 생산라인 구축 업무 불명
2010년 하반기 부터는 TFT공정 초기 생산라인 구축 업무를 수행하였다. 방사선 차폐 설비도 갖추지 못했고, 사업장의 공기순환구조로 인해 벤젠, 포름알데히드, 전리방사선, 비전리방사선 등에 노출되어 그로 인해 상병 발생하였다고 주장하였다.
공정 테스트
과거 근로자가 공정 테스트를 위해 약액 탱크 내부에 접근했을 때는 보다 높은 수준의 농도에 노출되었을 것으로 추정된다.
CVD, Sputter, 포토 공정 등의 타 공정 라인 셋업 미흡
동일 층에서 CVD, Sputter, 포토 공정 등의 타 공정 라인도 함께 셋업 중 이었으며, 공정간 격벽이 제대로 이루어지지 않았고, 클린룸 내 순환공기가 공유 된다는 점에서 이들 공정에서 사용된 물질에도 복합적으로 노출되었을 것으로 추정된다.

🦺 보호구 0건

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